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  • 根据本发明的另一方面的用于控制抽吸单元的方法可以包括以下步骤:当其上设置有待通过激光束照射切割的目标基底的台单元移动时,模拟针对改善的抽吸口的气流以防止烟雾移动到抽吸单元的外部;在靠近改善的抽吸口的高度处在激光切割端周围的三个表面或四个表面...
  • 本公开实施例提供的显示面板、显示装置及驱动方法包括:衬底基板,位于衬底基板上的多个子像素和多个像素电路;一个像素电路对应设置至少两个相邻的子像素;每个子像素包括一个发光器件;至少两个相邻的子像素中的发光器件的第一电极为同一电极,发光器件的第...
  • 本公开的显示装置(1)所具备的第一发光元件(D1)依次具有:第一电极(E1)、包括第一发光材料(Q1)的第一发光层(L1)、半透光性的第一下侧金属层(12)、第一中间层(14)、半透光性的第一上侧金属层(16)以及第一光取出面(S1),在第...
  • 本发明涉及一种有机发光器件,涉及一种包含该有机发光器件的显示装置,并且涉及一种化合物。
  • 使用下述通式所表示的化合物的有机发光元件的性能优异。X1和X2中的一者为N且另一者为C‑Y3;Y1~Y3中的1个为氰基,剩余的2个为芳基或杂芳基;L1为单键或连接基团;R1~R5中的2~4个为供体基团;R1~R3中的1个为氰基、二芳基氰基苯...
  • 本发明提供能够在不形成阻碍电子传递的层的情况下同时形成空穴传输层和光电转换层的钙钛矿前体液。本发明的一个方式涉及的钙钛矿前体液包含:溶剂、形成进行光电转换的钙钛矿化合物的钙钛矿前体、形成具有空穴选择透过性的自组装单分子膜的空穴传输层形成化合...
  • 本发明涉及在钙钛矿光吸收层与电子传输层之间引入具有三层结构的电子传输缓冲层的钙钛矿太阳能电池及其制造方法。
  • 一种照明设备,包括多个发白光的标准尺寸的LED和多个发白光的RGB微型‑LED的组合,多个发白光的RGB微型‑LED用作单个白光源。多个M‑LED被布置在M‑LED的群组中并且被限制在区域A内,并且多个N‑LED被布置在区域A之外。
  • 本文描述了一种精细间隔LED阵列、汽车照明系统和制造方法。LED照明系统包括LED行和列的阵列,其中阵列中相邻LED之间的间隔小于50微米。该阵列包括至少5行LED。多个第一导电连接器将5行中的前4行中的LED串联电耦合。多个第二导电连接器...
  • 本发明的技术要旨在于一种用于微型LED显示器的全彩像素,其在共享共同n电极的同时,包括至少一个以上的红光微型LED、至少一个以上的绿光微型LED及至少一个以上的蓝光微型LED。
  • 本发明提供一种重新分布单粒化晶粒(1)的方法(100),该方法包含:提供(110)供体基体(10)并提供(111)受体基体(20),供体基体包含支撑所述晶粒的阵列(A)的分割箔片(11),受体基体包含载具基体(21),载具基体具有可光固化粘...
  • 用于将功能单元(4, 4’,4’’,4’’’,4’’’’)从输出功能单元(4, 4’,4’’,4’’’,4’’’’)的供体衬底(1)转移到接收功能单元(4, 4’,4’’,4’’’,4’’’’)的受体衬底(8)的方法,尤其作为用于构造产品衬...
  • 本发明为一种移载方法,通过激光照射将设置在基材上的多个微小结构体移载到另一基材,所述移载方法具有:移载工序,通过所述基材朝向第一微小结构体照射激光,将所述第一微小结构体移载到所述另一基材;以及追加照射工序,朝向所述移载后的第一微小结构体照射...
  • 一种发光设备包括多个发光元件、多个透镜以及一个或多个光吸收体。所述多个发光元件沿着第一表面部署。所述多个透镜在与第一表面相交的第一方向上在与相应发光元件对应的位置处堆叠。所述透镜中的每个透镜透射来自所述多个发光元件中的对应的一个发光元件的光...
  • 描述了一种发光二极管(LED)阵列,其包括多个限定具有侧壁的像素的台面,每个台面包括衬底上的外延堆叠。外延堆叠包括在衬底上的第一n型层、在第一n型层上的第二n型层、在第二n型层上的n型限制层、在n型限制层上具有有源区宽度的有源区、在有源区上...
  • 该光检测装置包括:半导体基板,包括光电转换单元;浮动扩散,从半导体基板的表面向半导体基板的内部形成;以及晶体管,设置在半导体基板中。晶体管包括栅极电极,该栅极电极以具有与半导体基板的表面基本上齐平的表面的方式嵌入在半导体基板中。
  • 本技术涉及:具有多光电转换元件像素并同时提高灵敏度并减少颜色混合的发生的摄像装置;摄像装置的制造方法;和电子设备。根据本发明,半导体基板上二维排列有像素,每个像素具有多个光电转换元件。滤色器针对每个光电转换元件形成在半导体基板上。保护膜形成...
  • 一种芯片包括分接列,该分接列包括以列布置的分接单元(810)和端接分接列的端部的端接分接单元。该端接分接单元包括在第一方向(112)上延伸跨端接分接单元延伸的第一N阱(815)、将第一N阱耦合到第一电源轨的第一n分接(820)、将p衬底或P...
  • 本发明涉及一种晶体管器件,具体地涉及一种堆叠式CFET器件。还提供了一种制造堆叠式CFET器件的方法。所述CFET器件包括nMOS晶体管和pMOS晶体管,所述nMOS晶体管包括第一沟道和围绕所述第一沟道的第一栅极结构,所述pMOS晶体管包括...
  • 本发明涉及用于复合基板(S)的载体(1)。载体包括基础基板以及布置在基础基板(2)上的由多晶硅制成的俘获层(3a)。俘获层具有第一类型的电陷阱,该第一类型的电陷阱具有0.383 eV的激活能(容差为0.008 eV)以及小于1×10‑16 ...
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