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自行车,非机动车装置制造技术
  • 一种集成冷却流道的转向节、轮边驱动总成及车辆
    一种集成冷却流道的转向节、轮边驱动总成及车辆_万向钱潮股份公司_202610335587.4
    本发明涉及转向节技术领域，具体而言，涉及一种集成冷却流道的转向节、轮边驱动总成及车辆。一种集成冷却流道的转向节包括转向节本体和冷却环体。转向节本体用于连接车身和车轮；转向节本体的内部设置有第一冷却流道；第一冷却流道的延伸路径为圆弧形；冷却环...
    2026-04-17
  • 一种基于方解石的改性无水硫酸钙晶须的制备方法
    一种基于方解石的改性无水硫酸钙晶须的制备方法_四川锦瑞凯达新材料科技有限公司_202610182179.X
    本发明公开了一种基于方解石的改性无水硫酸钙晶须的制备方法，包括以下步骤：步骤1：方解石混悬液中加入浓硫酸，充分反应得到硫酸钙；步骤2：将步骤1得到的硫酸钙进行陈化结晶；步骤3：脱水过滤后，干燥后进行煅烧，煅烧温度为600～750 ℃；步骤4...
    2026-04-17
  • 一种电动汽车充电方法及系统
    一种电动汽车充电方法及系统_湖南工程学院_202610200503.6
    本发明公开了一种电动汽车充电方法及系统，涉及电动汽车直流微网快充领域，包括通过功率转换系统PCS将直流母线与外部交流电网或智能移动充电车连接，以将交流电能转化为预约车辆所需的直流电能；根据获取的接入车位充电口且许可放电的的电动汽车的电池状态...
    2026-04-17
  • 一种用于CO2还原CsPbBr3量子点/BiOCl异质结光催化剂及其制备方法
    一种用于CO2还原CsPbBr3量子点/BiOCl异质结光催化剂及其制备方法_济南大学_202410214130.9
    本发明涉及一种用于CO2还原CsPbBr3量子点/BiOCl异质结光催化剂及其制备方法，所述制备方法以下步骤：以氯氧化铋和硝酸铅添加到水溶液中，超声后冷冻干燥，通过马弗炉煅烧，得到前驱体材料；再加入溴化铯和溴化钾，溶解，超声，冷冻干燥，通过...
    2026-04-17
  • 车辆分时接力充电方法、装置、设备、系统及介质
    车辆分时接力充电方法、装置、设备、系统及介质_广东工业大学_202610012442.0
    本申请涉及车辆充电技术领域，提供一种车辆分时接力充电方法、装置、设备、系统及介质。车辆分时接力充电方法包括获取车辆状态信息和用户充电需求信息，车辆状态信息包括剩余电量和可行驶里程，用户充电需求信息包括用车时间和目标充电里程；根据车辆状态信息...
    2026-04-17
  • 驾驶辅助装置
    驾驶辅助装置_株式会社爱信_202511443658.4
    本发明提供一种驾驶辅助装置，其在对牵引被牵引车的牵引车进行驾驶辅助的情况下，能够在显示装置所显示的车辆选择画面中，从多个候选车辆中容易地选择被牵引车。驾驶辅助装置(1)，其在牵引车(2)中辅助乘客(用户)进行的车辆操作，其构成为将从一个或者...
    2026-04-17
  • 半导体功率装置
    半导体功率装置_沃尔塔半导体公司_202480058028.2
    揭露了具有较低电阻和较高击穿电压的半导体功率装置。揭露了操作半导体功率装置的方法。此半导体功率装置包括：漏极区域；第一区域，其接触该漏极区域且具有与该漏极区域的导电类型相同的导电类型，与该漏极区域的掺杂相比，该第一区域被掺杂得更轻；源极区域...
    2026-04-17
  • 一种信号穿透力强的路由器
    一种信号穿透力强的路由器_王霞_202311348665.7
    本发明属于路由器技术领域，尤其涉及一种信号穿透力强的路由器，一种信号穿透力强的路由器，包括路由器主体和滑动架，滑动架上滑动连接有储存部，储存部上滑动链接有接触部，接触部上设有多个气孔，接触部上滑动连接有连接部，连接部上通过螺栓可拆连接有两个...
    2026-04-17
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411412389.0
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个第一开口；对衬底进行第一离子注入，形成至少两个第一体区；在第一开口的侧壁上形成第二掩膜层，第二掩膜层的宽度为第一宽度；进...
    2026-04-17
  • 一种二维材料的直接图案化方法
    一种二维材料的直接图案化方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511842720.7
    本发明涉及一种二维材料的直接图案化方法，包括如下步骤：将具有金属图案层的石英掩模与均匀分布有二维材料的基底对准装载，得到基底‑掩模组合体；利用紫外光激发氧气生成臭氧对所述基底‑掩模组合体进行刻蚀，即完成二维材料的直接图案化。本发明提供了一种...
    2026-04-17
  • 一种高压快恢复二极管结构及其制作方法
    一种高压快恢复二极管结构及其制作方法_北京工业大学_202511880117.8
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，提供一种高压快恢复二极管结构及其制造方法，该结构是一种背面有源区具有精细槽阵列的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压要求的正面边缘终端区；背...
    2026-04-17
  • 一种高压快恢复二极管及其制作方法
    一种高压快恢复二极管及其制作方法_北京工业大学_202511880093.6
    一种高压快恢复二极管及其制造方法涉及功率半导体器件技术领域，该二极管是一种背面有源区具有浮空p+区的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压的正面边缘终端区；背面包括n型缓冲层，...
    2026-04-17
  • 半导体器件及半导体器件的形成方法
    半导体器件及半导体器件的形成方法_长鑫存储技术有限公司_202211314185.4
    本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及半导体器件的形成方法。该半导体器件包括衬底；源区和漏区；晕环注入区，晕环注入区包括用于防止沟道直接穿通的第一晕环注入子区和用于调节结漏电流的第二晕环注入子区，第一晕环注入子区覆盖于预设区域的底部和...
    2026-04-17
  • 一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件
    一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511890132.0
    本发明提供一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件，该制备方法包括：在外延层上生长刻蚀掩膜层；在刻蚀掩膜层上进行光刻工艺处理；以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀图形化的刻蚀掩膜层至外延层的上表面，形成图形化的刻蚀掩膜层，以图形化的刻蚀掩...
    2026-04-17
  • 一株镰刀菌及其在降解银杏酸中的应用
    一株镰刀菌及其在降解银杏酸中的应用_江苏农牧科技职业学院_202610034302.3
    本发明公开了一株镰刀菌及其在降解银杏酸中的应用，所述镰刀菌为Fusarium laieritium DLT‑118，其保藏号为CCTCC NO：M 20252976，于2025年12月19日保藏于中国典型培养物保藏中心。本发明提供的菌株Fu...
    2026-04-17
  • 一种高耐磨环氧防腐涂层材料及制备方法
    一种高耐磨环氧防腐涂层材料及制备方法_上海同岩土木工程科技股份有限公司_202610319862.3
    本发明公开了一种高耐磨环氧防腐涂层材料及制备方法，属于海底隧道混凝土涂层防护技术领域，涂层材料包括60‑80份环氧树脂，14‑18份鳞片陶瓷微粉复合填料，8‑16份改性胺固化剂。复合填料含有经复合偶联剂预处理的鳞片陶瓷微粉、纳米ZrO2，改...
    2026-04-17
  • 高压晶体管结构及其制造方法
    高压晶体管结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202110895424.9
    本发明公开一种高压晶体管结构及其制造方法，其中该高压晶体管结构包括基底、第一漂移区、第二漂移区、第一盖层、第二盖层、栅极结构、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。第一漂移区与第二漂移区设置在基底中。第一盖层与第二盖层分别设置在第一漂移区与第...
    2026-04-17
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411416108.9
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个露出衬底的第一表面的第一开口；通过第一开口进行第一离子注入，以在衬底中形成至少两个间隔设置的第一体区；在第一体区...
    2026-04-17
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411414753.7
    半导体装置包含基板、第一栅极结构与磊晶层。第一栅极结构在基板上，第一栅极结构的长度方向沿着第一方向。磊晶层在基板上，其中第一栅极结构在磊晶层中，且磊晶层包含多个第一源极区、多个第一体接触区与阱。第一源极区相邻第一栅极结构，第一源极区具有第一...
    2026-04-17
  • 一种改性聚磷酸铵及其制备方法与应用
    一种改性聚磷酸铵及其制备方法与应用_新源清材科技(北京)有限公司_202511779772.4
    本发明涉及一种改性聚磷酸铵及其制备方法与应用，属于消防灭火产品技术领域，用以解决现有方法制备的聚磷酸铵阻燃效率下降、成本高昂、无法长效防结块、溶解性差等问题中至少一个。本发明的改性聚磷酸铵通过大分子硅烷偶联剂包覆聚磷酸铵制备而成，大分子硅烷...
    2026-04-17
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