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最新专利技术
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001540.3
    本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，该显示基板，包括：衬底基板；像素限定层，位于衬底基板上，包括多个像素开口和间隔多个像素开口的像素间隔部；多个子像素，位于衬底基板上，与多个像素开口一一对应，各个子像素包括发光元件，发...
    2026-04-18
  • 显示基板、显示面板和显示装置
    显示基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001494.7
    提供了一种显示基板、显示面板和显示装置。显示基板包括：衬底基板；设置于衬底基板上的像素限定层，像素限定层具有多个像素开口，多个像素开口限定出多个子像素，多个子像素沿第一方向和第二方向阵列排布，像素限定层包括位于相邻的两个像素开口之间的像素限...
    2026-04-18
  • 有机发光器件、包含该有机发光器件的显示装置及化合物
    有机发光器件、包含该有机发光器件的显示装置及化合物_诺瓦尔德股份有限公司_202480057002.6
    本发明涉及一种有机发光器件，涉及一种包含该有机发光器件的显示装置，并且涉及一种化合物。
    2026-04-18
  • 基板键合装置以及基板键合方法
    基板键合装置以及基板键合方法_株式会社斯库林集团_202480053545.0
    本发明提供一种基板键合装置，其用于将第一基板与第二基板相互键合，其具有：第一工作台，其保持第一基板；第二工作台，其保持第二基板；控制装置，其至少控制第一工作台的移动；第一测量装置，其测量第一工作台的位置；第二测量装置，其测量第一工作台的位置...
    2026-04-18
  • 真空处理装置以及真空处理方法
    真空处理装置以及真空处理方法_株式会社日立高新技术_202480057471.8
    本发明的目的在于提供能够提升基于积累法的气体的流量测定的精度的技术。因此，本发明的真空处理装置具有：处理室，能够将内部减压；第1流量控制部，将第1处理气体控制流量地供给到处理室；第2流量控制部，将第2处理气体控制流量地供给到处理室；压力测量...
    2026-04-18
  • 使用带有倒角角隅的集成电路促进RFID标签组装
    使用带有倒角角隅的集成电路促进RFID标签组装_英频杰公司_202480057915.8
    在一晶片上对刻划道及加宽区域进行挖沟导致所述晶片上的RFID IC的一些角隅被倒角。所述加宽区域增大相邻IC之间在其相交处的一距离，借此降低一倾斜或旋转IC与一相邻IC碰撞的可能性。另外，所述加宽区域允许基于视觉的对准系统从一切割带背面进行...
    2026-04-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480058277.1
    提供能够改善制造成品率的半导体装置。本公开的一实施方式的半导体装置具备：形成有半导体元件的半导体部；层叠在所述半导体部上的树脂部件；以及层叠在所述树脂部件上的玻璃部件。在该半导体装置中，所述玻璃部件的侧面形成有凹曲面。此外，在该半导体装置中...
    2026-04-18
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480057984.9
    本申请说明书中公开的技术是在基板处理中抑制对电解池造成损伤的技术。与本申请说明书中公开的技术相关的基板处理装置具有基板处理部、供给罐、生成部、回收部、向供给罐供给由生成部生成的处理液的第一供给路径、以及向回收部供给由生成部生成的处理液的第二...
    2026-04-18
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480058786.4
    基板处理装置(1)具备：水流路，其将水向基板(W)引导；及溶剂流路(33x)，其将作为表面张力较水低的液体的有机溶剂向基板(W)引导。水流路包含具有凹部(72u)与凸部(72h)的凹凸面(72)，该凹部(72u)的至少一部分充满空气，该凸部...
    2026-04-18
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380102256.0
    基板收纳容器具备：容器主体，收纳当俯视时具有至少一个角部的板状的基板(W)，在内部形成能够排列收纳基板(W)的基板收纳空间(27)，一端部具有形成有与基板收纳空间(27)连通的容器主体开口部的开口周缘部，另一端部被封闭；盖体，能够相对于容器...
    2026-04-18
  • 用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备
    用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备_赛米提斯股份有限公司_202580001858.6
    公开了一种用于支持向前开式晶圆传送盒内部供应氮气的吹扫板的制备方法及使用所述方法的计算设备，所述制备方法包括以下步骤：(a)在预定平面上的四个部位提供固体材料后使用从预定刺激源供应的预定粘合剂生成第1粘合固体材料，或者将使用从所述预定刺激源...
    2026-04-18
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202380014424.0
    晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面具有晶片载放面22；冷却板30，其设置于陶瓷板20的下表面；冷媒流路32，其设置于冷却板30；以及隔热用孔40，其设置于冷却板30中的冷媒流路32的侧方，从冷却板30的下表面38到达顶部47，顶部47...
    2026-04-18
  • 用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂上的区域选择性沉积的方法
    用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂上的区域选择性沉积的方法_东京毅力科创株式会社_202480058347.3
    本文披露了工艺和方法的实施例，这些工艺和方法利用极紫外(EUV)光刻和区域选择性沉积(ASD)工艺的组合以在半导体衬底上方形成的至少一个底层上形成EUV光致抗蚀剂图案。在所披露的实施例中，将光致抗蚀剂膜沉积在(多个)底层上并使用EUV光刻对...
    2026-04-18
  • 低导通电阻高功率开关
    低导通电阻高功率开关_威电科技有限公司_202480055609.0
    一种电功率开关，功率开关包括：横向场效应(LFET)晶体管的行和列的阵列，每个晶体管具有源极、漏极和栅极；多个内部互连层，多个内部互连层包括被配置为连接晶体管以并联操作的金属化物；源电极和漏电极，用于分别将晶体管的源极和漏极连接到外部电路；...
    2026-04-18
  • 耦合到包括多孔部分的中介层的集成器件
    耦合到包括多孔部分的中介层的集成器件_高通股份有限公司_202480057085.9
    一种封装件，该封装件包括中介层，该中介层包括：硅基板，该硅基板包括多孔部分；和多个过孔互连件，该多个过孔互连件延伸穿过硅基板的多孔部分。该封装件包括第一集成器件，该第一集成器件通过第一多个焊料互连件耦合到中介层。
    2026-04-18
  • 电子部件
    电子部件_TDK株式会社_202480057345.2
    本发明的电子部件包含：基材，其具有主面；绝缘层，其配置于基材的主面，且具有开口部；导电层，其形成于绝缘层的开口部；及阻挡层，其覆盖导电层；其中，至少阻挡层的外表面的形状具有一个向上突出的山部。
    2026-04-18
  • 采用背面电源轨的栅极系紧单元
    采用背面电源轨的栅极系紧单元_高通股份有限公司_202480057671.3
    公开了利用背面电源输送方案的栅极系紧(GTD)单元，其中输送功率的金属线设置在管芯的背面上。背面电源可以通过S/D并且通过正面接触件被输送到栅极。因此，可以实现超低高度标准单元。还可以实现更高的面积缩放。此外，可以最大化性能和功率增益。
    2026-04-18
  • 背侧双向互连件
    背侧双向互连件_高通股份有限公司_202480057673.2
    公开了用于半导体结构的技术。在一方面，半导体结构包括栅极堆叠，该栅极堆叠包括在第一方向上偏移的第一栅极结构和第二栅极结构。该半导体结构包括与第一栅极结构相邻的第一源极/漏极(S/D)结构、与第二栅极结构相邻的第二S/D结构、与第一S/D结构...
    2026-04-18
  • 半导体器件的顶层中的气隙
    半导体器件的顶层中的气隙_高通股份有限公司_202480056708.0
    公开了可在基板的正面上的顶部信号层和/或功率层中结合气隙的器件。另选地或作为其补充，气隙也可被结合在基板的背面上的信号层和/或功率层中。以这种方式，可减小器件的金属电容，从而提高诸如CPU的半导体电路的性能。
    2026-04-18
  • 竖直取向部件堆叠及组件
    竖直取向部件堆叠及组件_京瓷AVX元器件公司_202480056144.0
    提供竖直取向部件堆叠、组件和方法。例如，竖直取向部件堆叠包括多个部件，该多个部件中的每个部件包括在竖直方向上与第二侧面相对的第一侧面。第一侧面和第二侧面均在纵向方向上从第一端面延伸至第二端面。每个部件具有形成在第一侧面上的第一外部端子和第二...
    2026-04-18
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