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浙江理工大学史峰获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江理工大学申请的专利一种磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121566056B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610091197.7,技术领域涉及:H01M50/449;该发明授权一种磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜及其制备方法和应用是由史峰;余媛;郭玉海;朱海霖;曾德勤;张丽莉设计研发完成,并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种磺酸基修饰ZIF‑67涂覆隔膜及其制备方法和应用,属于锂电池技术领域。包括多孔基膜和涂覆于多孔基膜一侧或两侧的改性涂层,所述改性涂层包含磺酸基功能化的ZIF‑67纳米颗粒和粘结剂,磺酸基功能化的ZIF‑67纳米颗粒是由钴源、2‑甲基咪唑配体以及含磺酸基团的咪唑类辅助配体通过配位自组装形成的金属有机框架材料。本发明通过原位配位自组装将带有磺酸基团的咪唑类配体引入ZIF‑67骨架,利用ZIF‑67的规则孔道实现锂离子通量的均匀化,同时利用磺酸基团的静电诱导作用促进阴离子分解,提高锂离子迁移数。该隔膜能有效抑制锂枝晶生长,在NCM811Li金属全电池、Li‑Li对称电池及Li‑Cu半电池中均表现出优异的循环稳定性和倍率性能。

本发明授权一种磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜,其特征在于:包括多孔基膜和涂覆于多孔基膜一侧或两侧的改性涂层,所述改性涂层包含磺酸基功能化的ZIF-67纳米颗粒和粘结剂,改性涂层的厚度为1.5~3μm, 所述磺酸基功能化的ZIF-67纳米颗粒由钴源、2-甲基咪唑配体以及含磺酸基团的咪唑类辅助配体通过配位自组装形成,所述钴源选自六水合硝酸钴、四水合乙酸钴、六水合氯化钴中的至少一种,所述含磺酸基团的咪唑类辅助配体选自2-1H-咪唑-4-基乙磺酸、4-咪唑磺酸、2-苯基-5-苯并咪唑磺酸中的至少一种,含磺酸基团的咪唑类辅助配体与2-甲基咪唑配体的摩尔比为1:5~20,所述磺酸基修饰ZIF-67涂覆隔膜应用于NCM811Li金属全电池、Li-Li对称电池或Li-Cu半电池。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江理工大学,其通讯地址为:310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道下沙高教园区2号街928号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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