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龙图腾网获悉宁德时代润智软件科技有限公司;宁德时代新能源科技股份有限公司申请的专利缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610019951.6，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品是由井佛坤设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品在说明书摘要公布了：本申请涉及一种缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品。所述方法包括：获取待测MOSFET的第一阈值电压，在向待测MOSFET的栅源极施加的目标栅源电压的时长为第一预设时长的情况下，获取待测MOSFET的第二阈值电压，基于第一阈值电压和第二阈值电压的差值，确定待测MOSFET的栅极氧化层的缺陷检测结果；目标栅源电压用于激发待测MOSFET的栅极氧化层的缺陷。实现更全面和准确地对宏观缺陷和微观缺陷进行缺陷检测。

本发明授权缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待测金属氧化物半导体晶体管MOSFET的第一阈值电压； 在向待测MOSFET的栅源极施加的目标栅源电压的时长为第一预设时长的情况下，获取所述待测MOSFET的第二阈值电压；所述目标栅源电压为获取所述第一阈值电压后，在所述待测MOSFET的漏源电压不大于预设电压的情况下施加的电压，所述目标栅源电压用于激发所述待测MOSFET的栅极氧化层的缺陷； 基于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的差值，确定所述待测MOSFET的栅极氧化层的缺陷检测结果； 所述目标栅源电压不小于缺陷检测电压且小于所述待测MOSFET的击穿电压，所述缺陷检测电压基于向MOSFET样品的栅源极施加栅源电压样本的施加时长为第二预设时长的情况下，获取的第一阈值电压样本确定；其中，所述栅源电压样本为在所述MOSFET样品的漏源电压不大于所述预设电压的情况下施加的电压，所述栅源电压样本不小于所述MOSFET样品的隧穿电压且小于所述MOSFET样品的击穿电压； 所述MOSFET样品的数量为多个，所述缺陷检测电压的确定方法包括： 向所述MOSFET样品的栅源极施加所述栅源电压样本之前，获取所述MOSFET样品的第二阈值电压样本； 针对各所述MOSFET样品，基于所述MOSFET样品的第一阈值电压样本和第二阈值电压样本，确定所述MOSFET样品的第一阈值电压偏移率； 基于各所述MOSFET样品的第一阈值电压偏移率，以及各所述第一阈值电压偏移率对应的栅源电压样本，确定所述缺陷检测电压。

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