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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510727493.7，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权一种半导体器件刻蚀方法是由吴志刚设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件刻蚀方法，该半导体器件刻蚀方法包括：提供预设基底；其中，预设基底包括导体层；导体层刻蚀步，向反应腔室内通入含氯气体作为刻蚀气体，以导体层的上一膜层为掩膜对导体层进行刻蚀，直至显露出下一膜层；灭辉步，控制上电极功率和下电极功率均为关闭，向反应腔室通入钝化气体；其中，钝化气体包括含氢气体。本发明通过在对导体层进行刻蚀后，增加灭辉步，控制上电极功率和下电极功率均为零，可以中和导体层刻蚀步中晶圆表面累计的电荷，使晶圆表面的电场分布更加均匀，通过向腔室内通入含氢气体作为钝化气体，可以钝化半导体器件中的栅氧化层界面缺陷，优化P型晶体管阈值电压的均匀性，提升了产品良率。

本发明授权一种半导体器件刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供预设基底；其中，所述预设基底包括导体层； 导体层刻蚀步，向反应腔室内通入含氯气体作为刻蚀气体，以所述导体层的上一膜层为掩膜对所述导体层进行刻蚀，直至显露出下一膜层； 灭辉步，控制上电极功率和下电极功率均为关闭，向所述反应腔室通入钝化气体；其中，所述钝化气体包括含氮气体和含氢气体，所述含氮气体包括氮气，所述含氢气体包括氢气或氨气； 所述预设基底还包括位于所述导体层上方的光阻层；在所述导体层刻蚀步之前，所述半导体器件刻蚀方法还包括：光阻层刻蚀步，向所述反应腔室通入含氧气体对所述光阻层进行刻蚀，直至显露出下一膜层； 所述预设基底还包括位于所述光阻层和所述导体层之间的介质抗反射层；在所述导体层刻蚀步之后，所述半导体器件刻蚀方法还包括：介质抗反射层刻蚀步，向所述反应腔室通入含氯气体，以所述光阻层为掩膜对所述介质抗反射层进行刻蚀，直至显露出所述导体层。

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