中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李焕圭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011120351.8，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法是由李焕圭;周娜;李琳;王佳;李俊杰设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中晶圆背面存在颗粒物质导致低良率、工艺转换对齐错误的问题。本发明预抽真空室包括腔室、喷嘴、支架和真空吸盘；支架设置在腔室的中心，真空吸盘固定在支架顶端，喷嘴设置在以真空吸盘为圆心的圆的半径方向上；真空吸盘用于固定晶圆并带动晶圆旋转，喷嘴设置在晶圆下方。本发明适用于对晶圆背面进行清洁。
本发明授权一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆清洁方法，其特征在于，使用下述具有晶圆清洁功能的预抽真空室，预抽真空室包括腔室、喷嘴、支架和真空吸盘； 所述支架设置在腔室的中心，所述真空吸盘固定在支架顶端，所述喷嘴设置在以真空吸盘为圆心的圆的半径方向上；所述真空吸盘用于固定晶圆并带动晶圆旋转，喷嘴设置在所述晶圆下方； 所述腔室底部设置有抽气口，抽气口与喷嘴位于同一侧，且抽气口位于喷嘴的下方； 所述喷嘴设置有能够均匀向晶圆背面吹扫气体的微孔，多排微孔构成的喷气宽度大于等于晶圆的半径，且根据晶圆的尺寸，微孔的开启的排数可调； 喷嘴与晶圆背面之间的距离为110cm； 所述晶圆清洁方法包括以下步骤： 将晶圆转移到预抽真空室内，采用真空吸盘将晶圆固定； 在大气状态下，真空吸盘带动晶圆旋转，抽气开始的同时，喷嘴吹气体对晶圆进行背面清洁； 预抽真空室的压力抽到300mT后，停止吹气体，掉落的细微异物质从抽气线路排出。
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