买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446131.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法是由谢志刚;谢艺峰;黄巍辉;张超华;林锦山;林朝晖设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置表面覆盖绝缘膜层的第一导电型膜层，以形成第一导电型的第一导电区；所述步骤A的具体方法为，a1，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘层和激光吸收牺牲层；a2，采用激光蚀刻方式去除第一导电区以外区域的激光吸收牺牲层；a3，采用化学蚀刻方式去除未覆盖激光吸收牺牲层的第一绝缘层和第一导电型膜层，以形成表面附着有绝缘膜层的第一导电区。本发明的目的在于提供一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法，能够降低激光损伤，减少热衰减影响，提升光电转化效率。

本发明授权一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低激光损伤的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置表面覆盖绝缘膜层的第一导电型膜层，以形成第一导电型的第一导电区； 所述步骤A的具体方法为， a1，在半导体基板的第一主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘层和激光吸收牺牲层； a2，采用激光蚀刻方式去除第一导电区以外区域的激光吸收牺牲层； a3，采用化学蚀刻方式去除未覆盖激光吸收牺牲层的第一绝缘层和第一导电型膜层，以形成表面附着有绝缘膜层的第一导电区； 步骤B，经步骤A处理后的半导体基板，在其第二主面依次形成第三钝化膜层和光学减反层，在其第一主面上形成第二导电型膜层； 步骤C，采用激光非连续性蚀刻方式除去覆盖在第一导电区内部区域的部分第二导电型膜层； 步骤D，采用化学蚀刻方式除去未覆盖第二导电型膜层的绝缘膜层； 所述第一导电型膜层为N型导电膜层，所述第一导电型膜层沉积工艺包括形成掺氧型微晶层；所述第二导电型膜层为P型导电膜层； 所述掺氧型微晶层的成膜包含三个工艺阶段，第一，形成高H2SiH4比例的非含氧型孵育层；第二，形成含氧型微晶层，含氧型微晶N型μc-SiOx:H的成膜速度控制在0.2-2埃秒，成膜面上的厚度为40-200埃；第三，形成非含氧型接触层； 所述步骤C的具体方法为，采用激光非连续性蚀刻除去覆盖在第一导电区中间区域的部分第二导电型膜层，使得覆盖在第一导电区的第二导电型膜层形成暴露绝缘膜层的孔洞队列，相邻孔洞互相不接触，孔洞队列由一列以上孔洞构成，所述激光为经过空间整形的平顶激光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建金石能源有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。