三星电子株式会社姜太星获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111044466.8，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权集成电路装置是由姜太星;李英奎;金暻旻;金一权;元福渊;李硕宰;张成豪;韩俊设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路装置在说明书摘要公布了：一种集成电路装置，包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器，其中，读出放大器包括：读出放大器单元，其连接到位线和互补位线，被配置为响应于控制信号读出位线的电压变化，被配置为基于读出的电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压，并且包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；以及第一偏移消除单元，其响应于偏移消除信号将位线连接到互补读出位线，并且包括布置在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管，其中，第一偏移消除晶体管与第一NMOS晶体管共享公共杂质区。
本发明授权集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器，其中，所述读出放大器包括： 基板，第一有源区被限定在所述基板中； 读出放大器单元，其连接到所述位线和互补位线，所述读出放大器单元被配置为响应于控制信号读出所述位线的所述电压变化并且基于读出的所述电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压，所述读出放大器单元包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；以及 第一偏移消除单元，其响应于偏移消除信号将所述位线连接到所述互补读出位线，所述第一偏移消除单元包括布置在所述第一NMOS晶体管与所述第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管， 其中，所述第一偏移消除晶体管与所述第一NMOS晶体管共享公共杂质区， 其中，所述第一有源区包括第一主有源区、第二主有源区和布置在所述第一主有源区与所述第二主有源区之间的扩展有源区， 其中，所述第一NMOS晶体管布置在所述第一主有源区中， 其中，所述第一偏移消除晶体管布置在所述第二主有源区中，并且 其中，所述公共杂质区布置在所述第二主有源区的一部分中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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