美光科技公司A·特罗亚获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于检查存储器装置的擦除阶段的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980096960.3，技术领域涉及：G11C7/04；该发明授权用于检查存储器装置的擦除阶段的方法是由A·特罗亚;A·蒙代洛设计研发完成，并于2019-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于检查存储器装置的擦除阶段的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种包含至少一存储器单元阵列和相关联解码和感测电路系统和存储器控制器的非易失性存储器装置，以及一种用于检查所述非易失性装置的擦除阶段的方法；所述方法包括：执行至少一存储器块的动态擦除操作；将所述动态擦除操作的至少内部块变量和或已知模式存储于虚设行中。
本发明授权用于检查存储器装置的擦除阶段的方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，其包括： 存储器单元阵列，其包括： 多个存储器块；及 与所述多个存储器块的每个相应存储器块相对应的多个虚设行，其中每个虚设行： 与第一地址空间相关联，所述第一地址空间位于所述相应存储器块的第二地址空间之外；及 经配置以存储与擦除阶段相关联的内部块变量及特定模式；及 控制器，其耦合到所述存储器单元阵列，且所述控制器针对所述多个虚设行的每个虚设行经配置以： 响应于所述存储器单元阵列的加电，确定所述特定模式是否存储于所述虚设行中，其中确定所述特定模式未存储于所述虚设行中指示所述相应存储器块的未完成擦除；及 响应于确定所述特定模式未存储于所述虚设行中，对所述相应存储器块执行所述擦除阶段。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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