台湾积体电路制造股份有限公司何宜臻获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利互连结构、半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110219970.0，技术领域涉及：H10W20/45；该发明授权互连结构、半导体结构及其形成方法是由何宜臻;林千;余承晔;陈新兴;谢忠儒设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连结构、半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了用于减少电迁移的结构和方法。根据本发明的互连结构包括嵌入在介电层中的导电部件、设置在导电部件和介电层上方的覆盖阻挡层以及夹在覆盖阻挡层和介电层之间的粘合层。该粘合层具有约40％和约70％之间的结晶度。本申请的实施例还涉及互连结构、半导体结构及其形成方法。
本发明授权互连结构、半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种互连结构，包括： 导电部件，嵌入在介电层中； 覆盖阻挡层，设置在所述导电部件和所述介电层上方并且覆盖所述导电部件；以及 粘合层，夹在所述覆盖阻挡层和所述介电层之间， 其中，所述介电层为非晶介电层，所述覆盖阻挡层为结晶覆盖阻挡层，所述粘合层为部分结晶且包括40％和70％之间的结晶度，所述覆盖阻挡层与所述粘合层之间的晶格失配低于所述覆盖阻挡层与所述介电层之间的晶格失配。
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