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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112698173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011419747.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法是由郭春生;魏磊;张仕炜;赵迪设计研发完成，并于2020-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法，该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇，实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库，根据测试电流与并联器件数量，利用电流转换公式，得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇；利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降，得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线；最后，根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点，确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法，可在成熟小电流压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。

本发明授权一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法，实现该方法的装置包括被测含多芯片并联开关模块1、并联测试夹具2、温箱或温控平台3、测试源表4；所述温箱或温控平台3用于对所述模块1加温，所述测试源表4用于给所述被测含多芯片并联开关模块1施加不同电流，测量导通压降；其特征在于，所述测试方法包括以下步骤： 步骤一：将所述被测含多芯片并联开关模块1放置于所述并联测试夹具2上，后将所述被测含多芯片并联开关模块1放置于所述温箱或温控平台3，利用所述温箱或温控平台3给所述被测含多芯片并联开关模块1加热； 步骤二：设置所述温箱或温控平台3初始温度，使得所述被测含多芯片并联开关模块1温度稳定在所述温箱或温控平台3设定温度，温度稳定后，利用所述测试源表4按一定步长施加校温电流，测试得到不同校温电流下所述被测含多芯片并联开关模块1的导通压降； 步骤三：按一定步长改变所述温箱或温控平台3温度，重复步骤二中校温电流测试，测出不同温度、校温电流下所述被测含多芯片并联开关模块1的导通压降； 步骤四：根据特定测试电流与被测含多芯片并联开关模块1并联芯片的数量，将校温电流转换成电流占比，然后绘制基于特定测试电流的不同电流占比下电压-温度曲线簇； 步骤五：对所述被测含多芯片并联开关模块1施加正常工作大电流和特定测试电流，待工作稳定后，断开工作电流，获取特定测试电流下所述被测含多芯片并联开关模块1的导通压降； 步骤六：根据所述被测含多芯片并联开关模块1的基于特定测试电流的导通压降，校对不同电流占比下电压-温度曲线簇，获取对应电流占比与温度值，绘制特定电流下电流占比-温度曲线； 步骤七：根据不同特定测试电流下电流占比-温度曲线交点，确定所述被测含多芯片并联开关模块1峰值结温以及对应电流占比。

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