北京七星华创电子股份有限公司李龙远获国家专利权
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龙图腾网获悉北京七星华创电子股份有限公司申请的专利晶体生长坩埚及晶体生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108018604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201610959357.1，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权晶体生长坩埚及晶体生长炉是由李龙远设计研发完成，并于2016-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长坩埚及晶体生长炉在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体生长坩埚，在其顶壁上设置有用于固定籽晶的安装位，在所述安装位上还设置有传热层，所述传热层的所在平面上的导热系数大于厚度方向上的导热系数。本发明提供的晶体生长坩埚及晶体生长炉，可以很有效地降低晶体热场的径向温度梯度，从而可以解决在生长大尺寸晶体时晶体易开裂的问题。
本发明授权晶体生长坩埚及晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长坩埚，在其顶壁上设置有用于固定籽晶的安装位，其特征在于，在所述安装位上还设置有传热层，所述传热层在其所在平面上的导热系数大于在其厚度方向上的导热系数，以降低晶体生长过程中，晶体热场的径向温度梯度； 所述传热层为石墨纸；所有所述石墨纸的总厚度的取值范围为1mm-10mm； 在所述安装位上还设置有平坦化层，所述平坦化层为石墨片，所述石墨纸和所述石墨片层叠设置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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