苏州奕赫光电子科技有限公司;东南大学雷威获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州奕赫光电子科技有限公司;东南大学申请的专利一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224218750U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520826209.7，技术领域涉及：H10F30/298；该实用新型一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器是由雷威;李青;周建明;朱莹;徐晓宝;吴忠;赵志伟设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器，包括X射线传感部分、电流调制部分，以及电荷耦合感应部分；所述X射线传感部分由高原子序数半导体晶体及相应半导体结构成，它吸收高能X射线，产生电子空穴对；所述电流调制部分由多孔源电极、半导体沟道和漏电极构成；所述电荷耦合感应部分，它由栅极电极、介质层和多孔源电极组成。介质层位于X射线传感层上方。本实用新型利用场效应晶体管的增益对光电流进行放大，获得高灵敏度X射线探测；将X射线传感层设置在栅极和介质层之间，通过介质层阻挡暗电流，利用电荷耦合感应将入射X射线信号传递给光电流，获得了低噪声X射线探测。
本实用新型一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器在权利要求书中公布了：1.一种X射线垂直沟道场效应晶体管探测器，其特征在于：包括X射线传感部分、电流调制部分、以及电荷耦合感应部分； 所述X射线传感部分由用于X射线吸收半导体材料及相应半导体结构成，它吸收高能X射线，产生电子空穴对； 所述电流调制部分由多孔源电极、半导体沟道和漏电极构成，所述半导体沟道设置在多孔源电极和漏电极之间，并通过半导体沟道获得光电流； 所述电荷耦合感应部分由栅电极、介质层和多孔源电极组成，所述栅电极设置在所述X射线传感部分下方，栅电极上设置钝化层，所述X射线传感部分上方设有介质层，介质层上方设有多孔源电极。
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