三星电子株式会社李赫宰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利封装的多芯片半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110211890.0，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权封装的多芯片半导体装置是由李赫宰;李种昊;金志勳;金泰勳;朴相天;薛珍暻;李相勳设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装的多芯片半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。
本发明授权封装的多芯片半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种封装的半导体装置，所述半导体装置包括： 第一连接结构； 第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上，第一半导体芯片包括半导体基底、贯穿基底过孔和第一芯片垫； 第一模制层，定位在第一连接结构的上表面上，并且至少部分地围绕第一半导体芯片； 第一接合垫，位于第一半导体芯片上； 第一接合绝缘层，至少部分地围绕第一接合垫； 第二接合垫，直接接触第一接合垫； 第二接合绝缘层，至少部分地围绕第二接合垫；以及 第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上， 其中，第一芯片垫位于贯穿基底过孔与第一接合垫之间并且与第一接合垫直接接触，并且 其中，贯穿基底过孔延伸穿过半导体基底以通过第一芯片垫电连接到第一接合垫。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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