三星电子株式会社徐凤锡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括栅间隔物的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011342115.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权包括栅间隔物的半导体器件是由徐凤锡;金大元;朴范琎;朴硕炯;朴星一;申在训;杨奉燮;刘庭均;李在润设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括栅间隔物的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。
本发明授权包括栅间隔物的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一有源区，限定在衬底上； 第一栅电极，跨所述第一有源区； 第一漏区，在所述第一有源区中与所述第一栅电极相邻的位置处； 底切区域，在所述第一有源区与所述第一栅电极之间；以及 第一栅间隔物，在所述第一栅电极的侧表面上并延伸到所述底切区域中， 其中，所述第一栅间隔物包括： 上部，在所述第一栅电极的侧表面上；以及 下部，从所述上部延伸到所述底切区域中，并且 其中，所述上部和所述下部是一体形成的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励