德克萨斯仪器股份有限公司Q·Z·洪获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112514048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980050140.0，技术领域涉及：H10D1/40；该发明授权具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路是由Q·Z·洪;H·郭;B·J·蒂默;G·B·希恩设计研发完成，并于2019-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路在说明书摘要公布了：一种集成电路IC100，其包括具有半导体表面层102的衬底，半导体表面层102具有用于实现至少一个电路功能的功能电路系统，并且在半导体表面层102上方的金属层118上具有层级间电介质ILD层。包括薄膜电阻器TFR层的TFR在ILD层上。至少一个竖直金属壁108在TFR的至少两侧上。该金属壁包括由填充通孔126耦合的至少2个金属层级。功能电路系统在金属壁外面。
本发明授权具有金属壁的薄膜电阻器的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路即IC的方法，所述方法包括： 提供具有半导体表面层的衬底，所述半导体表面层具有用于实现至少一个电路功能的功能电路系统，并且在所述半导体表面层上方的金属层上具有层级间电介质层即ILD层； 在所述ILD层上形成薄膜电阻器即TFR，所述TFR包括TFR层； 在所述TFR的至少两侧上形成至少一个竖直金属壁，以通过抑制介电损伤来减少或消除所述介电损伤的影响； 其中，所述金属壁包括由填充通孔耦合的至少2个金属层级，并且 其中，所述功能电路系统在所述金属壁的外面。
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