盛合晶微半导体(江阴)有限公司李海龙获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种晶圆湿法刻蚀反应腔室获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192389U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520841601.9，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种晶圆湿法刻蚀反应腔室是由李海龙;吉江;顾中凯;吴欣华设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆湿法刻蚀反应腔室在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种晶圆湿法刻蚀反应腔室，包括反应腔室本体，所述反应腔室本体内设有用于承载晶圆的底座11和用于遮挡部分向晶圆背面回沾的刻蚀液的遮挡罩12；所述遮挡罩12为中空结构，顶面为圆形；所述遮挡罩12套设于所述底座11上且不突出于底座11的顶面设置。本实用新型提供的晶圆湿法刻蚀反应腔室，可遮挡晶圆的背面，减少晶圆背面的暴露面积，物理隔离湿法刻蚀产生的雾化颗粒，防止颗粒回沾带来的脏污影响后道镭射，从而造成产品质量风险及批量性返工。
本实用新型一种晶圆湿法刻蚀反应腔室在权利要求书中公布了：1.一种晶圆湿法刻蚀反应腔室，其特征在于，包括反应腔室本体，所述反应腔室本体内设有用于承载晶圆的底座11和用于遮挡部分向晶圆背面回沾的刻蚀液的遮挡罩12；所述遮挡罩12为中空结构，顶面为圆形；所述遮挡罩12套设于所述底座11上且不突出于底座11的顶面设置。
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