买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111439768.5，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法是由李国华;夏超;侯蕊;黄辉;王宁;周雪;李晨曦;周祥;黄志祥设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于溴铅铯甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法，是通过CsPbBr3单晶与MAPbBr3单晶所构成的异质结实现光的探测。本发明的光电探测器具有探测波段范围窄、选择性高的优势。

本发明授权一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于溴铅铯甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器，其特征在于：所述窄带光电探测器是通过CsPbBr3单晶与MAPbBr3单晶所构成的异质结实现光的探测；所述窄带光电探测器的光谱响应峰在550nm处，探测波长区间在530nm-570nm； 所述窄带光电探测器的制备方法为：首先通过蒸发溶剂法制备CsPbBr3单晶，再通过逆温法在CsPbBr3单晶的上表面和四周外延生长MAPbBr3单晶，构成CsPbBr3MAPbBr3单晶异质结，最后利用碳浆制作上下电极，即获得窄带光电探测器，具体包括如下步骤： 步骤1、制备CsPbBr3单晶 将PbBr2和CsBr按摩尔比1：1加入到DMSO中，搅拌至完全溶解后置于敞口容器中，再置于35-40℃左右的热台上，等待单晶析出，获得CsPbBr3单晶； 步骤2、制备CsPbBr3单晶MAPbBr3单晶异质结 将PbBr2和MABr粉末溶于DMF中，充分搅拌，获得0.7-1M的MAPbBr3溶液；将步骤1所得CsPbBr3单晶放入MAPbBr3溶液底部，并使其下表面紧贴容器底部，然后置于90-95℃的热台上，等待MAPbBr3单晶在CsPbBr3单晶的上表面及四周逐渐析出，即获得CsPbBr3MAPbBr3单晶异质结； 步骤3、制备光电探测器 在未生长MAPbBr3单晶的CsPbBr3单晶的下表面以及生长在CsPbBr3单晶上表面的MAPbBr3单晶上分别利用碳浆制作碳电极并充分干燥，即获得窄带光电探测器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。