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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111453357.1，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法是由连坤;王金翠;刘桂银;张秀全;孙丙瑞;王有贵;李道玉设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法包括：用纯水对晶圆进行初级清洗；用乙醇对晶圆表面进行擦拭清洁；清洁完成后用纯水浸泡去除乙醇；采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第二清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第二清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第三清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第三清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；再次采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；最后将晶圆浸泡在纯水中，进行兆声清洗的同时通二氧化碳气体，清洗完毕进行甩干操作。

本发明授权消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法，其特征在于，包括： 使用纯水对抛光后的晶圆进行初级清洗； 使用乙醇对初级清洗后的所述晶圆表面进行擦拭清洁，并在清洁完成后对晶圆使用纯水进行首次浸泡； 使用第一清洗溶液对使用所述纯水首次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第一清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行二次浸泡； 使用第二清洗溶液对使用所述纯水二次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第二清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行三次浸泡； 使用第三清洗溶液对使用所述纯水三次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第三清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行四次浸泡； 使用第一清洗溶液对使用所述纯水四次浸泡后的晶圆进行浸泡清洗，并对经过所述第一清洗溶液浸泡的晶圆使用纯水进行五次浸泡； 对所述五次浸泡在纯水中的晶圆，通入二氧化碳气体进行兆声清洗，并甩干清洗完成后的晶圆； 其中，所述第一清洗溶液的成分包括氨水、双氧水和水，所述第二清洗溶液的成分包括盐酸、双氧水和水，所述第三清洗溶液的成分包括硫酸和双氧水，硫酸和双氧水的配比为：硫酸：双氧水＝5-9:1，所述第一清洗溶液的成分配比具体为：氨水：双氧水：水＝1:1:5，所述第二清洗溶液的成分配比具体为：盐酸：双氧水：水＝1:1:5。

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