ARM 有限公司拉雷特·古普塔获国家专利权
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龙图腾网获悉ARM 有限公司申请的专利从低阶MUX设计衍生出高阶MUX的电路架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112735506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011096105.3，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权从低阶MUX设计衍生出高阶MUX的电路架构是由拉雷特·古普塔;尼古拉斯·克拉里努斯·约翰内斯·万温克尔霍夫;埃尔·麦迪·布雅马;郑波;法赫尔丁·阿里·博赫拉;西里尔·尼古拉·德雷;阿希什·巴德瓦杰;杜吉什·库玛·杜贝设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本从低阶MUX设计衍生出高阶MUX的电路架构在说明书摘要公布了：一种从低阶MUX设计衍生出高阶MUX的电路架构。本文描述的各种实现方式针对使用低阶多路复用器的高阶多路复用器的实现方式。在实施例中，该实现方式需要对低阶多路复用器的现有电路设计进行一些修改。多个多路复用器可以彼此耦合，从而形成公共的输入端口和输出端口。使用使能信号，一次只能启用耦合的多路复用器中的一个而切断其余多路复用器。因此，在接收到指示存储器单元的地址的选择信号时，耦合在一起的低阶多路复用器在选择与存储器单元相对应的适当列时用作高阶多路复用器。
本发明授权从低阶MUX设计衍生出高阶MUX的电路架构在权利要求书中公布了：1.一种存储器电路，包括： 以多个列和多个行布置的存储器单元阵列； 第一单元，具有与第一组多个列相对应的第一对多路复用器、第一读出放大器和第一写入驱动器； 第二单元，具有与第二组多个列相对应的第二对多路复用器、第二读出放大器和第二写入驱动器； 写入使能信号，被配置成使能所述第一写入驱动器和所述第二写入驱动器中的一个写入驱动器；以及 读取使能信号，被配置成使能所述第一读出放大器和所述第二读出放大器中的一个读出放大器。
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