三星电子株式会社涩谷宽政获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010411126.3，技术领域涉及：H10K85/60；该发明授权N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备是由涩谷宽政;白铁;松尾豊;尹晟荣;林宣晶;申智琇;李启滉;崔容硕;崔泰溱;洪慧林设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备在说明书摘要公布了：公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1‑R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]
本发明授权N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备在权利要求书中公布了：1.N型半导体组合物，包括： 富勒烯或富勒烯衍生物；和 由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物： [化学式1] 其中，在化学式1中， Cy为选自C3-C20脂环族基团和C6-C20芳族基团的环状基团或者两个或更多个环状基团的稠合环状基团， 其中在Cy中的所述环状基团为包括至少一个选自如下的官能团的杂环基团：-N=、-NR-、-O-、-S-、-Se-、-Te-、-C=O-、-C=S-、-C=Se-、-C=Te-、-C=CCN2-和-C=NR-，其中R为C1-C10烷基， X为至少一个选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C30支化烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基和取代或未取代的C2-C30杂芳基，以及 R2和R7为选自如下的大体积取代基：取代或未取代的C3-C20支化烷基、取代或未取代的C3-C20支化烷氧基、取代或未取代的C3-C20支化烷基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C20支化杂烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基及其组合，以及 R1、R3、R4、R5、R6和R8为氢、氘、卤素、氰基、C1-C20直链烷基或其组合。
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