意法半导体股份有限公司F·V·丰塔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体设备的方法和对应的半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111563299.8，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权制造半导体设备的方法和对应的半导体设备是由F·V·丰塔纳;M·德赖设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体设备的方法和对应的半导体设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及制造半导体设备的方法和对应的半导体设备。半导体芯片被安装在引线框架的第一表面处，并且绝缘包封被形成在引线框架上。蚀刻掩模被应用在引线框架的第二表面处，以覆盖两个相邻排电触点的位置以及两个相邻排之间电耦合电触点的连接杆。然后通过蚀刻掩模蚀刻第二表面，以便去除第二表面处的引线框架材料，并且限定电触点和连接杆。电触点包括远端表面以及由绝缘包封留下未覆盖的侧面。然后蚀刻掩模被去除，并且将电触点和连接杆用作电触点远端表面和侧面的电镀中的电极。然后在设备分离期间，从两个相邻排之间去除连接杆。
本发明授权制造半导体设备的方法和对应的半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 在引线框架的第一表面处布置半导体芯片或管芯，其中所述引线框架具有与所述第一表面相对的第二表面； 在所述引线框架和布置在其上的所述半导体芯片或管芯上形成绝缘包封； 应用蚀刻掩模以在包括多个电触点以及电耦合到所述多个电触点的至少一个连接杆的位置处覆盖所述引线框架的所述第二表面； 通过所述蚀刻掩模蚀刻所述引线框架的所述第二表面以便限定所述电触点和所述至少一个连接杆，其中所述电触点具有由所述绝缘包封留下未覆盖的远端表面以及侧面； 去除所述蚀刻掩模以暴露所述多个电触点和所述至少一个连接杆； 在使用所述电触点和所述至少一个连接杆作为电镀电极的同时电镀所述电触点的所述远端表面以及所述侧面；以及 去除所述至少一个连接杆以电隔离所述电触点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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