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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210119369.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法是由蔡武卫;吕俊颉;陈海清;林佑明;杨世海设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法。薄膜晶体管可以通过以下步骤来制造：在衬底之上的绝缘层中形成栅极电极；在栅极电极和绝缘层之上形成栅极电介质；在栅极电极之上形成有源层；以及形成源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极与有源层的顶表面的相应部分接触。可以通过将氧原子引入到栅极电介质和有源层中的至少一者的表面区域中来增加栅极电介质和有源层中的相应一者中的表面氧浓度。

本发明授权包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括位于衬底之上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括： 绝缘层，所述绝缘层嵌有栅极电极并上覆于所述衬底上； 栅极电介质和有源层的堆叠，所述堆叠上覆于所述栅极电极上，其中，所述栅极电介质包括成分渐变栅极电介质材料，其中，所述栅极电介质内的氧原子的原子浓度随着从所述栅极电介质和所述有源层之间的界面向下的垂直距离而降低；以及 源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极与所述有源层的顶表面的相应部分相接触， 其中，所述源极电极与以下部分直接接触：所述绝缘层的顶表面的第一表面段、所述栅极电介质的一对纵向侧壁的第一端部部分、所述栅极电介质的一对横向侧壁中的第一横向侧壁的全部区域、所述有源层的一对纵向侧壁的第一端部部分、所述有源层的一对横向侧壁中的第一横向侧壁的全部区域，以及所述有源层的顶表面的第一端部部分； 所述漏极电极与以下部分直接接触：所述绝缘层的顶表面的第二表面部分、所述栅极电介质的一对纵向侧壁的第二端部部分、所述栅极电介质的一对横向侧壁中的第二横向侧壁的全部区域、所述有源层的一对纵向侧壁的第二端部部分、所述有源层的一对横向侧壁中的第二横向侧壁的全部区域，以及所述有源层的顶表面的第二端部部分。

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