买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种低损耗衬底及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111624327.2，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权一种低损耗衬底及制备方法是由欧欣;柯新建;黄凯设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗衬底及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗衬底及制备方法，其中，一种低损耗衬底包括衬底层和位于衬底层上的第一缺陷层；第一缺陷层远离衬底层的一侧设有第二缺陷层，第二缺陷层的表面具有凸起结构，凸起结构的高度为预设高度；在第一缺陷层和或第二缺陷层是由双面沉积生成的情况下，经过不完全热氧化，在衬底层远离第一缺陷层的一侧得到应力调整层，在第二缺陷层远离第一缺陷层的一侧得到第一氧化层，第一氧化层的密度为预设密度；第一氧化层远离第二缺陷层的一侧设有压电单晶层。本低损耗衬底通过调整应力调整层的厚度，改善了晶圆整体形貌。此外，第二缺陷层晶粒尺寸较大，由第二缺陷层制得的氧化层结构更加致密，这有利于压电单晶层与氧化层键合。

本发明授权一种低损耗衬底及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗衬底，其特征在于，包括衬底层1和位于所述衬底层1上的第一缺陷层2，所述第一缺陷层2在第一温度下生长在所述衬底层1上；所述第一缺陷层2远离所述衬底层1的一侧设有第二缺陷层3，所述第二缺陷层3在第二温度下在生长在所述第一缺陷层2上；所述第二缺陷层3的表面具有凸起结构，所述凸起结构的高度为预设高度；所述预设高度为10nm-100nm；所述第二温度大于所述第一温度，所述第二缺陷层3的晶粒尺寸大于所述第一缺陷层2的晶粒尺寸；所述第一缺陷层2和所述第二缺陷层的材料包括多晶硅； 在所述第一缺陷层2和或所述第二缺陷层3是由双面沉积生成的情况下，经过不完全热氧化，在所述衬底层1远离所述第一缺陷层2的一侧得到应力调整层4，在所述第二缺陷层3远离所述第一缺陷层2的一侧得到第一氧化层5，所述第一氧化层5的密度为预设密度；所述预设密度为2190kgm3-2270kgm3；其中，所述应力调整层4在第三温度下经过不完全热氧化得到； 所述第一氧化层5远离所述第二缺陷层3的一侧设有压电单晶层6，构成键合结构102； 其中，所述应力调整层4用于在所述应力调整层4的厚度调整的情况下，改善所述键合结构102的形貌，以调节晶圆内部应力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新硅聚合半导体有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。