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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011219639.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法是由具德滋;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法，属于半导体技术领域，解决沟槽侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀造成的顶部关键尺寸增加的问题。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和待刻蚀层；刻蚀第三支撑层并过刻蚀第二模制层，以形成第一沟槽；通过沉积工艺在第一沟槽上方形成侧墙材料层；对第一沟槽的底面处的侧墙材料进行开口刻蚀，其中，通过剩余的侧墙材料限定电容器孔的尺寸；以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对第一沟槽的底部的第二支撑层、第一模制层和第一支撑层进行刻蚀，直到刻蚀停止层停止。通过侧墙材料防止侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀，从而避免顶部关键尺寸增加。

本发明授权一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器孔制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和待刻蚀层，其中，所述待刻蚀层自下而上顺序包括第一支撑层、第一模制层、第二支撑层、第二模制层和第三支撑层； 刻蚀所述第三支撑层并过刻蚀所述第二模制层，以形成第一沟槽； 通过沉积工艺在所述第一沟槽上方形成侧墙材料层； 对所述第一沟槽的底面处的侧墙材料进行开口刻蚀，其中，通过剩余的侧墙材料限定所述电容器孔的尺寸，通过调节所述侧墙材料的厚度来限定所述电容器孔的尺寸； 以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对所述第一沟槽的底部的所述第二支撑层、所述第一模制层和所述第一支撑层进行刻蚀，直到所述刻蚀停止层停止，其中，以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对所述第二支撑层、所述第一模制层和所述第一支撑层进行刻蚀，直到所述刻蚀停止层停止包括：以所述第三支撑层的顶面和所述第一沟槽的侧壁上的侧墙材料为掩模，对所述第一沟槽的底部处剩余的所述第二支撑层进行过刻蚀以形成第二沟槽；以所述第三支撑层的顶面和所述第一沟槽的侧壁上的侧墙材料为掩模，对所述第二沟槽的底部处的剩余的所述第一模制层进行过刻蚀以形成第三沟槽；以及以所述第三支撑层的顶面和所述第一沟槽的侧壁上的侧墙材料为掩模，对所述第三沟槽的底部处的剩余的所述第一支撑层进行刻蚀以形成第四沟槽，直到所述刻蚀停止层停止刻蚀，以形成电容器孔，其中，所述电容器孔包括所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽和所述第四沟槽，所述第四沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，以及所述第四沟槽的宽度等于所述第三沟槽的宽度并且等于所述第二沟槽的宽度， 其中，所述第一模制层和所述第二模制层包括二氧化硅；以及所述第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层包括氮化硅； 所述侧墙材料的刻蚀速率小于二氧化硅的刻蚀速率。

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