南亚科技股份有限公司施江林获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利动态随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111170494.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器及其制造方法是由施江林;林育廷设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种DRAM，其包括硅基板、埋藏字线及主动区。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区位于载体表面上。埋藏字线与主动区相交。每一埋藏字线在主动区中的一者中具有第一宽度，且在主动区外具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。亦提供了一种DRAM的制造方法。借由DRAM的上述配置，可减少字线干扰及单一单元故障，并且可提高DRAM的密度。
本发明授权动态随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包含： 硅基板，具有载体表面； 复数个埋藏字线，埋藏在该硅基板中，其中每一该等埋藏字线包括第一导电结构与在该第一导电结构上的第二导电结构；及 复数个主动区，位于该载体表面上； 其中该等埋藏字线与该等主动区相交，并且每一该等埋藏字线在该等主动区中的一者中具有第一宽度，且在该等主动区外具有第二宽度，并且该第一宽度大于该第二宽度，在该等主动区外的该等第一导电结构的底部低于在该等主动区中的该等第一导电结构的底部，在该等主动区外的该等第二导电结构的顶部与在该等主动区中的该等第二导电结构的顶部齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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