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龙图腾网获悉三明伊铂信息技术有限公司申请的专利一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121583739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610087619.3，技术领域涉及：H01F27/40；该发明授权一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构是由马坤林;王亚辉设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构在说明书摘要公布了：本发明的一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构，属于高频电力电子变换设备制造技术领域，包括：S1、设置支撑底座、磁路闭合单元、多层绕组堆叠体及嵌入其层间中心的磁场补偿层；S2、监测电压与汇总电流相位，根据相位偏离角度评估各支路等效感抗偏差；S3、当某支路电流异常升高，其漏磁通于补偿层感应旋转电流，产生反向涡流补偿磁场，被动增加该支路等效感抗以迫使电流转移；S4、监测磁路单元温升速率，根据相位偏离角计算补偿层磁饱和冗余量，根据此瞬时调整开关频率，利用高频感应增强旋转电流强度以弥补导磁性能缺失。本发明有效缓解了由趋肤效应和邻近效应导致的局部过热现象。

本发明授权一种适用于高频变压器的交错式并联绕组与磁集成结构在权利要求书中公布了：1.一种高频变压器绕组电流均流与磁集成控制方法，其特征在于，包括： S1、设置支撑底座100、磁路闭合单元200、多层绕组堆叠体300以及磁场补偿层400，其中，所述磁路闭合单元200固定于所述支撑底座100中部，所述多层绕组堆叠体300套设于所述磁路闭合单元200的周侧，所述磁场补偿层400嵌入设置在所述多层绕组堆叠体300的层间中心位置且位于所述磁路闭合单元200的窗口内部； S2、执行电流分配状态监测，实时获取所述多层绕组堆叠体300输入端的电压相位与汇总电流相位，通过计算所述电压相位与所述汇总电流相位的相位偏离角度，评估所述多层绕组堆叠体300各支路间的等效感抗偏差； S3、执行电磁拮抗被动均流控制，当所述多层绕组堆叠体300的某一路支路电流异常升高时，该支路产生的局部漏磁通穿过所述磁场补偿层400并在其外周感应出对抗性质的反向涡流，利用所述反向涡流产生的反向涡流补偿磁场抵消异常漏磁场，从而被动增加该电流异常升高的支路的局部等效感抗以迫使电流转移； S4、执行热电耦合自适应优化，监测所述磁路闭合单元200的表面温升速率，并结合所述相位偏离角度计算当前所述磁场补偿层400的磁饱和冗余量，根据所述磁饱和冗余量的变化趋势瞬时调整开关频率，利用高频感应增强所述反向涡流的强度以弥补物理介质导磁性能的缺失； 所述多层绕组堆叠体300包括若干层复合电路板310和矩阵转置过孔320，所述矩阵转置过孔320分布在所述磁路闭合单元200的窗口边缘，所述矩阵转置过孔320的孔口处设置有换位焊盘330； 在所述S1的步骤中，通过所述矩阵转置过孔320建立层间的阶梯式换位，使各层走线在穿越所述若干层复合电路板310的中轴线时完成对角线跨越，确保每一条并联路径在完成一个循环后的物理长度与电磁环境保持一致； 所述磁场补偿层400包括磁性颗粒涂层410和空载铜箔环420，所述磁性颗粒涂层410位于所述多层绕组堆叠体300的物理中心层； 所述S3的步骤包括： 利用所述磁性颗粒涂层410的聚磁作用，将增强的漏磁通引导指向所述空载铜箔环420； 在所述空载铜箔环420内激发出反向涡流场，通过所述反向涡流场与所述异常漏磁场产生的磁动势抵消作用，实现物理层面的电流自动平衡。

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