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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种晶体的退火装置及退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121538738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610062809.X，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种晶体的退火装置及退火方法是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体的退火装置及退火方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶体的退火装置及退火方法，属于晶体生产技术领域。所述退火装置包括：用于放置多个待退火的晶体的退火坩埚，退火坩埚的底部同轴设置有石墨毡，多个晶体从下往上依次同轴放置在石墨毡上，且相邻晶体之间设置有石墨块；设置在退火坩埚外部的保温层；用于对退火坩埚加热的感应线圈；与退火坩埚同轴设置的可升降式边缘保温套筒，其能伸入退火坩埚的内部对晶体的边缘进行保温；与退火坩埚同轴设置的可升降式中心保温柱，其能伸入退火坩埚的内部对晶体的中心区域进行保温。本发明中的装置和方法可以在退火过程中各阶段都能有效的实现晶体温度分布均一的状态，同时可以大幅缩短退火时间，提高退火效率和退火后晶体质量。

本发明授权一种晶体的退火装置及退火方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体的退火装置，其特征在于，所述退火装置包括： 用于放置多个待退火的晶体的退火坩埚，所述退火坩埚的底部同轴设置有石墨毡，多个所述晶体从下往上依次同轴放置在所述石墨毡上，且相邻所述晶体之间设置有石墨块； 设置在所述退火坩埚外部的保温层； 用于对所述退火坩埚加热的感应线圈； 与所述退火坩埚同轴设置的可升降式边缘保温套筒，所述可升降式边缘保温套筒能伸入所述退火坩埚的内部对所述晶体的边缘进行保温； 与所述退火坩埚同轴设置的可升降式中心保温柱，所述可升降式中心保温柱能伸入所述退火坩埚的内部对所述晶体的中心区域进行保温； 所述退火装置进行退火时，所述退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段； 在升温阶段，所述可升降式边缘保温套筒的最底端高出最上层所述晶体的上表面0~30mm，所述可升降式中心保温柱的下表面距离最上层所述晶体的上表面0~10mm； 在恒温阶段，所述可升降式边缘保温套筒套设在多个所述晶体的外部，所述可升降式中心保温柱的下表面与最上层所述晶体的上表面相接触； 在降温阶段，保持所述可升降式边缘保温套筒套设在多个所述晶体的外部，同时向上提拉所述可升降式中心保温柱，所述提拉的速度为5~60mmh，向上提拉的行程为80~100mm； 所述可升降式边缘保温套筒包括相贯通的上套筒段和下套筒段，所述上套筒段的内径小于所述晶体的直径，所述下套筒段的内径大于所述晶体的直径； 所述上套筒段的内径不小于所述可升降式中心保温柱的直径；所述上套筒段与所述可升降式中心保温柱间隙配合，所述上套筒段与所述可升降式中心保温柱的高度相同； 在恒温阶段和降温阶段，所述上套筒段的下表面与最上层所述晶体的上表面相接触。

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