东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司陈运获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利生成顶点辅助图形的方法和计算机程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121454853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610008539.4,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权生成顶点辅助图形的方法和计算机程序产品是由陈运设计研发完成,并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本生成顶点辅助图形的方法和计算机程序产品在说明书摘要公布了:本申请公开了一种生成顶点辅助图形的方法和计算机程序产品。该方法包括:获取芯片设计版图及其几何参数,所述芯片设计版图包括稀疏图形和密集图形,所述几何参数包括密集图形的最小间距、所述稀疏图形的边长以及所述稀疏图形的待配置顶点辅助图形的顶点的坐标;根据所述几何参数,确定放置轨迹,所述放置轨迹为一圆形轨迹或多个同心圆轨迹;生成至少一个在所述放置轨迹上排列的顶点辅助图形。本申请能够避免漏放顶点辅助图形。
本发明授权生成顶点辅助图形的方法和计算机程序产品在权利要求书中公布了:1.一种生成顶点辅助图形的方法,其特征在于,包括: 获取芯片设计版图及其几何参数,所述芯片设计版图包括稀疏图形和密集图形,所述几何参数包括密集图形的最小间距、所述稀疏图形的边长以及所述稀疏图形的待配置顶点辅助图形的目标顶点的坐标; 根据所述几何参数,确定放置轨迹,所述放置轨迹为一圆形轨迹或多个同心圆轨迹; 生成至少一个在所述放置轨迹上排列的顶点辅助图形,以使所述顶点辅助图形的作用范围匹配所述稀疏图形的光学特征尺寸; 所述根据所述几何参数,确定放置轨迹,包括: 根据所述目标顶点的坐标、所述稀疏图形的边长和所述顶点辅助图形的预设边长,确定所述放置轨迹的圆心; 根据所述稀疏图形的边长和所述密集图形的最小间距,确定所述放置轨迹的半径; 所述根据所述稀疏图形的边长和所述顶点辅助图形的预设边长,确定所述放置轨迹的圆心,包括: 以所述目标顶点的坐标为坐标系原点,采用如下公式计算所述圆心的坐标: x 0=k1L+k2Q,y0=k1L+k2Q; 其中,x0和y0为所述圆心的坐标,L为所述稀疏图形的边长,Q为所述顶点辅助图形的预设边长,k1和k2为预设系数; 根据所述稀疏图形的边长和所述密集图形的最小间距,确定所述放置轨迹的半径,包括: 采用如下公式计算所述半径: r=m1L+m2S, 其中,r为所述半径,L为所述稀疏图形的边长,S为所述密集图形的最小间距,为预设系数。
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