三星电子株式会社金灿镐获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010820285.9，技术领域涉及：H10B53/20；该发明授权集成电路装置是由金灿镐;边大锡;姜东求设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路装置在说明书摘要公布了：一种集成电路装置，包括：外围电路结构；存储器堆叠件，其包括位于外围电路结构上的在竖直方向上与外围电路结构重叠的多条栅极线；上衬底，其位于外围电路结构与存储器堆叠件之间，上衬底包括位于存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔；字线切割区，其跨过存储器堆叠件和通孔在第一横向上纵长地延伸；以及共源极线，其位于字线切割区中，共源极线包括第一部分和第二部分，第一部分在上衬底上在第一横向上纵长地延伸，第二部分一体地连接至第一部分，第二部分从上衬底的上部通过通孔穿透上衬底并且延伸至外围电路结构中。
本发明授权集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括： 外围电路结构； 存储器堆叠件，其包括位于所述外围电路结构上的在竖直方向上与所述外围电路结构重叠的多条栅极线； 上衬底，其位于所述外围电路结构与所述存储器堆叠件之间，所述上衬底包括位于所述存储器堆叠件的存储器单元区下方的通孔； 字线切割区，其跨过所述存储器堆叠件和所述通孔在第一横向上纵长地延伸；以及 共源极线，其位于所述字线切割区中，所述共源极线包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述上衬底上在所述第一横向上纵长地延伸，所述第二部分一体地连接至所述第一部分，所述第二部分从所述上衬底的上部通过所述通孔穿透所述上衬底并且延伸至所述外围电路结构中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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