三星电子株式会社孙荣晥获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010721833.2，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体器件是由孙荣晥;姜书求;韩智勋设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：沟道结构，位于基底上并且沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸；多个栅电极，位于基底上并且在沟道结构的侧壁上沿第一方向彼此间隔开；以及栅极绝缘层，位于所述多个栅电极中的每个与沟道结构之间，其中，沟道结构包括：体栅极层，沿第一方向延伸；电荷存储结构，围绕体栅极层的侧壁；以及沟道层，围绕电荷存储结构的侧壁。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 沟道结构，位于基底上并且沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸，所述沟道结构包括：体栅极层，沿第一方向延伸；电荷存储结构，围绕体栅极层的侧壁；以及沟道层，围绕电荷存储结构的侧壁； 多个栅电极，位于基底上并且在沟道结构的侧壁上沿第一方向彼此间隔开；以及 栅极绝缘层，位于所述多个栅电极中的每个与沟道结构之间， 其中，沟道层位于穿透所述多个栅电极并沿第一方向延伸的沟道孔的内壁上，并且 电荷存储结构沿着沟道孔的内壁共形地形成在沟道层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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