武汉华工新高理电子有限公司;孝感华工高理电子有限公司谭佳欢获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华工新高理电子有限公司;孝感华工高理电子有限公司申请的专利一种半导体应变计和压力传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224136763U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520123641.X,技术领域涉及:G01L1/22;该实用新型一种半导体应变计和压力传感器是由谭佳欢;何文超设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体应变计和压力传感器在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种半导体应变计和压力传感器,包括半导体基底、绝缘层、隔离层、电极和压敏电阻,所述半导体基底包括硅岛、支撑梁和两个支撑体,所述硅岛位于两个所述支撑体中间,所述支撑梁的支撑面分别与所述硅岛、两个所述支撑体连接,所述支撑梁的安装面与所述支撑梁的支撑面相对设置,所述绝缘层设置在所述支撑梁的安装面上,所述压敏电阻位于所述支撑体和所述硅岛之间的所述支撑梁上,所述隔离层覆盖在所述压敏电阻上,所述电极与所述压敏电阻连接。本实用新型可以解决现有的半导体应变计和压力传感器的温漂大的问题。
本实用新型一种半导体应变计和压力传感器在权利要求书中公布了:1.一种半导体应变计,包括半导体基底、绝缘层、隔离层、电极和压敏电阻,其特征在于,所述半导体基底包括硅岛、支撑梁和两个支撑体,所述硅岛位于两个所述支撑体中间,所述支撑梁的支撑面分别与所述硅岛、两个所述支撑体连接,所述支撑梁的安装面与所述支撑梁的支撑面相对设置,所述绝缘层设置在所述支撑梁的安装面上,所述压敏电阻位于所述支撑体和所述硅岛之间的所述支撑梁上,所述隔离层覆盖在所述压敏电阻上,所述电极与所述压敏电阻连接。
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