南亚科技股份有限公司罗翊仁获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349505.3，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权半导体元件及其制备方法是由罗翊仁设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件和该半导体元件的制备方法，包括：提供一底部基底；将一第一堆叠芯片和一第二堆叠芯片键合到在该底部基底上；共形地形成一第一隔离层，以覆盖该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片并至少部分地填充该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片之间的一间隙；执行一减薄制程，以曝露该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片的一后表面；执行一移除制程，以曝露该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片的一通基孔；形成一第一盖层，以覆盖该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片的该通基孔；以及执行一平坦化制程，以曝露该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片的该通基孔并提供一实质上平整的表面。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一底部基底； 将一第一堆叠芯片和一第二堆叠芯片键合在该底部基底上； 共形地形成一第一隔离层，以覆盖该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片，并至少部分地填充该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片之间的一间隙； 执行一减薄制程，以曝露该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片的一后表面； 执行一移除制程，以曝露该第一堆叠芯片的一通基孔和该第二堆叠芯片的一通基孔； 形成一第一封盖层，以覆盖该第一堆叠芯片该通基孔和该第二堆叠芯片该通基孔； 执行一平坦化制程，以曝露该第一堆叠芯片该通基孔和该第二堆叠芯片该通基孔，并提供一实质上平整的表面；以及 将一第三堆叠芯片键合到该第一堆叠芯片上，以及将一第四堆叠芯片键合到该第二堆叠芯片上， 其中该第一堆叠芯片和该第二堆叠芯片包括一存储电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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