深圳市华星光电半导体显示技术有限公司任武峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板的制备方法和阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785856.9，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权阵列基板的制备方法和阵列基板是由任武峰;徐俊;刘忠杰设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制备方法和阵列基板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该方法包括提供一衬底；在衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在第二金属层上形成掩膜层；对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除掩膜层，得到由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层构成的栅极层；在图案化的第一金属层与图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽内残留的剥离液。本申请在去除掩膜层后增加一道离子化氧气的灰化工艺，去除残留的剥离液，减小金属沟槽内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。
本发明授权阵列基板的制备方法和阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上依次形成第一金属层和第二金属层； 在所述第二金属层上形成掩膜层； 对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层； 通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层； 在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。
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