昕原半导体(上海)有限公司赵星贤获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115273934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210683856.8,技术领域涉及:G11C11/56;该发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符是由赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李设计研发完成,并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在说明书摘要公布了:公开了一种半导体装置,其包括多个双端电阻开关装置420,其中与电阻开关层324接触的电极322具有大于2nm的均方根表面粗糙度425、427,并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据,以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
本发明授权利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符在权利要求书中公布了:1.一种电路的操作方法,包括: 选择半导体裸片上的从未编程的电阻开关装置的子集,以产生数据序列的位值; 对所述从未编程的电阻开关装置的子集施加子编程电压; 读取所述从未编程的电阻开关装置的子集中的每个电阻开关装置的初始电流; 将一个所述电阻开关装置的所述初始电流与高初始电流和低初始电流的一个或多个阈值进行比较;以及 基于所述初始电流与所述高初始电流和所述低初始电流的所述一个或多个阈值的比较,为所述数据序列的位确定逻辑值。
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