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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利一种显示面板及显示面板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210768967.9，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种显示面板及显示面板的制造方法是由欧青青设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示面板及显示面板的制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种显示面板及显示面板的制造方法，薄膜晶体管包括：第一栅极，设置于基底上；第一栅极绝缘层，设置于第一栅极上；半导体层，设置于第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，设置于半导体层上；第二栅极，设置于第二栅极绝缘层上；源极和漏极，设置于第二栅极上；其中，半导体层包括对应第二栅极的沟道区、对应源极的源极区、对应漏极的漏极区、位于源极区和沟道区之间的第一传输区、位于漏极区和沟道区之间的第二传输区；第一传输区和第二传输区均与沟道区的材质完全相同，第一栅极和第二栅极的电性信号的电位相同。在本申请实施例的显示面板中，即第一传输区和第二传输区免于离子注入，减小了显示面板的制造时间、简化了工艺。

本发明授权一种显示面板及显示面板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括基底和设置于所述基底上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 第一栅极，设置于所述基底上； 第一栅极绝缘层，设置于所述第一栅极上； 半导体层，设置于所述第一栅极绝缘层上； 第二栅极绝缘层，设置于所述半导体层上； 第二栅极，设置于所述第二栅极绝缘层上； 源极和漏极，设置于所述第二栅极上； 其中，所述半导体层包括对应所述第二栅极的沟道区、对应所述源极的源极区、对应所述漏极的漏极区、位于所述源极区和所述沟道区之间的第一传输区、位于所述漏极区和所述沟道区之间的第二传输区；所述源极区和所述漏极区均与所述沟道区的材质完全相同，且所述源极区和所述漏极区均免于离子注入工艺； 所述第一传输区和所述第二传输区均与所述沟道区的材质完全相同，所述第一栅极在所述基底上的正投影覆盖所述源极区、所述漏极区、所述第一传输区、所述沟道区和所述第二传输区在所述基底上的正投影，所述第一栅极和所述第二栅极的电性信号的电位相同； 所述第一栅极在所述基底上的正投影完全覆盖所述半导体层在所述基底上的正投影。

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