联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011058791.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体元件及其制作方法是由王慧琳;翁宸毅;蔡锡翰;张哲维;许博凯;张境尹;王裕平;范儒钧;许清桦;林奕佑;陈宏岳设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于基底上的MRAM区域，然后形成一第一金属间介电层环绕MTJ，形成一图案化掩模于基底上的逻辑区域，进行氮化制作工艺将部分第一金属间介电层转换为一氮化层于MTJ上，形成第一金属内连线于逻辑区域上，形成一停止层于第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于停止层上，再形成一第二金属内连线于第二金属间介电层内并连接MTJ。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于基底的上表面上； 形成第一金属间介电层环绕该磁性隧穿结； 进行氮化制作工艺以形成氮化层于该磁性隧穿结上，其中在该半导体元件的剖面结构中，在垂直于该基底的该上表面的方向上，该氮化层与该磁性隧穿结之间不存在该第一金属间介电层；以及 形成停止层于该氮化层上且直接接触该氮化层。
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