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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利CIS芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528175.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权CIS芯片的封装方法是由蔡小虎;温建新;叶红波;史海军设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本CIS芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CIS芯片的封装方法，包括将CIS芯片贴装于基板上；将盖板贴于CIS芯片的感光区域；通过键合丝实现焊盘与引脚的连接；将模具盖在基板上，并使CIS芯片以及引脚均置于模位内；向模位内注胶或塑封料，以覆盖位于模位内的裸露的芯片位表面、键合丝以及裸露的CIS芯片表面；去除模具，然后进行揭膜和捡片，以完成对CIS芯片的封装，基板呈平板状，去除了台支结构，并且将模具盖在基板上，并使CIS芯片以及引脚均置于模位内，向模位内注胶或塑封料，以覆盖位于模位内的裸露的芯片位表面、键合丝以及裸露的CIS芯片表面，去除了空腔，提高了整体的结合力，芯片位的边界形成有减薄痕，无需进行厚道切割，从而改善了翘曲。

本发明授权CIS芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种CIS芯片的封装方法，其特征在于，包括： 提供CIS芯片、盖板、基板和模具；所述CIS芯片上形成有多个焊盘；所述基板呈平板状，且所述基板上具有至少一个与所述CIS芯片相适配的芯片位，所述芯片位的边界形成有减薄痕，所述芯片位上形成有与所述焊盘一一对应的引脚；所述模具呈平板状，且所述模具上形成有贯穿所述模具的模位，所述模位在所述模具一面上所形成的形状与一个所述芯片位的减薄痕所形成的形状大小完全相同，所述模具的厚度大于所述CIS芯片的厚度； 将所述CIS芯片贴装于所述基板上； 将所述盖板贴于所述CIS芯片的感光区域； 通过键合丝实现所述焊盘与所述引脚的连接； 将所述模具盖在所述基板上，并使所述CIS芯片以及引脚均置于所述模位内； 向所述模位内注胶或塑封料，以覆盖位于所述模位内的裸露的芯片位表面、所述键合丝以及裸露的CIS芯片表面； 去除所述模具，形成与所述基板的整体连接在一起的CIS芯片封装结构； 向CIS芯片封装结构和所述减薄痕外的基板上分别施加方向相反且垂直于所述基板表面的力，以使所述基板在所述减薄痕处断裂分离，进而使CIS芯片封装结构与所述基板整体分离，形成独立的CIS芯片封装结构。

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