思而施技术株式会社徐暻原获国家专利权
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龙图腾网获悉思而施技术株式会社申请的专利具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114200769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011322130.9，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模是由徐暻原;公拮寓;梁澈圭设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模在说明书摘要公布了：一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬Cr和氧O的材料制成，且第二层由不含有氧O但含有铬Cr的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。
本发明授权具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，包括： 衬底；以及 导电层，附接到所述衬底的背侧， 其中所述导电层包含依序堆叠在所述衬底的所述背侧上的第一层、第二层以及第三层， 所述第一层和所述第三层由含有铬Cr和氧O的材料制成，且 所述第二层由不含有氧O但含有铬Cr的材料制成； 其中所述第一层和所述第三层由CrCON制成，且所述第二层由CrCN制成； 其中所述第一层具有10纳米到100纳米的厚度； 其中所述第二层具有10纳米到60纳米的厚度； 其中所述第三层具有1纳米到30纳米的厚度； 其中，所述第一层由20原子％到70原子％的铬Cr、30原子％到80原子％的氧O以及0原子％到50原子％的氮及碳的总和制成， 所述第二层由40原子％到100原子％的铬Cr以及0原子％到60原子％的氮及碳的总和制成，且 所述第三层由20原子％到70原子％的铬Cr、30原子％到80原子％的氧O以及0原子％到50原子％的氮及碳的总和制成。
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