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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室和下电极电位控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111420747.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体工艺腔室和下电极电位控制方法是由师帅涛设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室和下电极电位控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、上电极组件、基座和下电极组件，基座设置在腔体中，用于承载晶圆，上电极组件用于向腔体中的工艺气体提供射频信号，以激发腔体中的工艺气体形成等离子体，基座内部具有下电极，下电极组件连接在下电极与接地端之间，且用于调节自身连接在下电极与接地端之间的阻抗，以将下电极电位保持在预设电位。在本发明中，下电极组件能够通过调节自身连接在下电极与接地端之间的阻抗的方式，调节下电极上下阻抗之间的射频分压比例，从而在不引入新射频功率的情况下，将下电极的电位保持在所需的预设电位，降低了射频功率对晶圆的等离子损伤以及对晶圆上方等离子体分布的影响。本发明还提供一种下电极电位控制方法。

本发明授权半导体工艺腔室和下电极电位控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体、上电极组件、基座和下电极组件，所述基座设置在所述腔体中，用于承载晶圆，所述上电极组件用于向所述腔体中的工艺气体提供射频信号，以激发所述腔体中的工艺气体形成等离子体，所述基座的内部具有下电极，所述下电极组件连接在所述下电极与接地端之间，且用于调节自身连接在所述下电极与所述接地端之间的阻抗，以将所述下电极的电位保持在预设电位； 所述下电极组件包括电位调节装置和电位确定装置，所述电位确定装置用于根据所述晶圆的膜层沉积循环数确定当前的所述预设电位，所述电位调节装置用于调节自身连接在所述下电极与所述接地端之间的阻抗，以将所述下电极的电位保持在所述电位确定装置确定的所述预设电位； 所述电位调节装置包括控制单元、电位检测单元和阻抗调节单元，所述阻抗调节单元的第一端与所述下电极连接，所述阻抗调节单元的第二端接地，所述电位检测单元用于检测所述阻抗调节单元第一端的电位得到电位反馈信号，所述控制单元用于根据所述电位反馈信号和由所述电位确定装置确定的所述预设电位控制所述阻抗调节单元调节自身的阻抗，以将所述下电极的电位保持在所述预设电位； 所述控制单元具体用于控制所述阻抗调节单元的阻抗大小向第一趋势变化预设调节量，并根据所述电位反馈信号判断所述下电极的电位与所述预设电位之间的电位差是否减小，若所述电位差减小，则控制所述阻抗调节单元的阻抗大小继续向第一趋势变化，直至所述电位差为零；若所述电位差未减小，则控制所述阻抗调节单元的阻抗大小向第二趋势变化，直至所述电位差为零；所述第一趋势与所述第二趋势相反。

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