美光科技公司P·泰萨里欧获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080045089.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由P·泰萨里欧;J·B·德胡特;李健;R·L·迈耶设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。绝缘支柱横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且沿着横向紧邻的所述存储器块纵向间隔开。所述支柱直接抵靠所述导电层面中的导电线的导电材料。公开其它阵列和方法。
本发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括： 横向间隔开的存储器块，其各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面，存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面；和 绝缘支柱，其横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且沿着横向紧邻的所述存储器块纵向间隔开，所述绝缘支柱直接抵靠所述导电层面中的导电线的导电材料， 处于所述导电层面中的个别导电层面中的所述导电线，所述导电线个别地包括横向相对的侧面，所述横向相对的侧面个别地包括所述绝缘支柱横向地延伸至其中的纵向间隔开的凹状区，所述绝缘支柱延伸穿过所有交替的所述绝缘层面和所述导电层面，并且包括延伸穿过所有交替的所述绝缘层面和所述导电层面的垂直且位于中心的绝缘芯。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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