台湾积体电路制造股份有限公司熊德智获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110581823.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成电路结构及其制造方法是由熊德智;王鹏;吴俊德;林焕哲设计研发完成，并于2021-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括在栅极结构之上沉积电介质帽盖。在源极漏极区域之上与栅极结构相邻地形成源极漏极接触件。氧化电介质帽盖的顶部。在氧化电介质帽盖的顶部之后，在电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层。蚀刻ILD层和蚀刻停止层以形成过孔开口，该过孔开口延伸穿过ILD层和蚀刻停止层。在过孔开口中填充源极漏极过孔。
本发明授权集成电路结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在栅极结构之上沉积电介质帽盖； 在源极漏极区域之上与所述栅极结构相邻地形成源极漏极接触件； 氧化所述电介质帽盖的顶部； 在氧化所述电介质帽盖的顶部之后，在所述电介质帽盖之上沉积蚀刻停止层，并在所述蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层； 蚀刻所述层间电介质层和所述蚀刻停止层以形成过孔开口，所述过孔开口延伸穿过所述层间电介质层和所述蚀刻停止层；以及 在所述过孔开口中填充源极漏极过孔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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