日月光半导体制造股份有限公司陈仁君获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装和其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111009509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811441577.0,技术领域涉及:H10W42/20;该发明授权半导体封装和其制造方法是由陈仁君设计研发完成,并于2018-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装和其制造方法在说明书摘要公布了:一种半导体封装包含具有表面的衬底,以及在所述第一表面上并且电耦合到所述衬底的导电元件。所述导电元件具有与所述表面形成小于90度的角度的主轴线。
本发明授权半导体封装和其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,其包括: 衬底,其具有表面; 第一焊料凸块,其在所述表面上;和 第一导电元件,其在所述表面上并且经由所述第一焊料凸块电耦合到所述衬底,所述第一导电元件具有与所述表面形成小于90度的角度的主轴线; 包封物,其环绕所述第一导电元件的侧面并且覆盖所述衬底的所述表面;和 导电层,其覆盖所述包封物的顶面和侧壁并且经由所述第一导电元件与所述第一焊料凸块电耦合到所述衬底的导电层, 其中所述第一焊料凸块与所述第一导电元件包括不同材料,所述第一焊料凸块与所述第一导电元件的底面之间形成界面,且其中所述第一导电元件的所述底面与所述衬底的所述表面不平行,且 其中所述第一导电元件的顶面与所述侧面界定第一拐角从所述包封物曝露出来,且所述导电层沿着所述第一拐角的轮廓覆盖所述第一拐角。
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