台湾积体电路制造股份有限公司詹伟翔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体晶粒封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124574U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520646230.9，技术领域涉及：H10W70/652；该实用新型半导体晶粒封装是由詹伟翔;林其锋;蓝若琳;高铭远;杨竣翔;林玮翔;陈冠儒;曾亿信;苏瑢瑄设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶粒封装在说明书摘要公布了：一种半导体晶粒封装包括半导体装置层、一或多个集成电路装置、第一互连层、第二互连层、金属柱、第一金属垫以及第二金属垫。一或多个集成电路装置在半导体装置层中。第一互连层垂直邻近半导体装置层的第一侧。第二互连层垂直邻近半导体装置层与第一侧相对的第二侧。金属柱延伸穿过半导体装置层。第一金属垫在第一互连层中，其中第一金属垫与金属柱的第一端直接实体接触。第二金属垫在第二互连层中，其中第二金属垫与金属柱和第一端相对的第二端直接实体接触。所述半导体晶粒封装能够实现低功耗并提高信号传播速度。
本实用新型半导体晶粒封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶粒封装，其特征在于，包括： 一半导体装置层； 一或多个集成电路装置，在该半导体装置层中； 一第一互连层，垂直邻近该半导体装置层的一第一侧； 一第二互连层，垂直邻近该半导体装置层与该第一侧相对的一第二侧； 一金属柱，延伸穿过该半导体装置层； 一第一金属垫，在该第一互连层中， 其中该第一金属垫与该金属柱的一第一端直接实体接触；以及 一第二金属垫，在该第二互连层中， 其中该第二金属垫与该金属柱和该第一端相对的一第二端直接实体接触。
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