无锡市查奥微电子科技有限公司何海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市查奥微电子科技有限公司申请的专利一种大电流硅基mos管的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124567U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520317839.1，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种大电流硅基mos管的封装结构是由何海洋;张灯奎设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大电流硅基mos管的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种大电流硅基mos管的封装结构，包括设置于晶体管本体背面的封装组件，所述封装组件包括与晶体管本体背面的陶瓷基板，所述陶瓷基板的外侧设置有封装套壳。该大电流硅基mos管的封装结构，通过在封装套壳内设置陶瓷基板、引脚框架以及散热件等部件，形成了高效的散热路径，陶瓷基板与晶体管本体紧密贴合，能够快速吸收热量并传导至封装套壳内部的均热片，均热片与散热板配合，通过热传导和热对流的方式将热量散发出去，此外，散热板背面的导风槽设计进一步增强了热对流，提高了散热效率，能够有效解决大电流硅基MOS管在处理大电流时因散热不良导致的导通电阻增大、热失控等问题，提高了MOS管的稳定性和可靠性。
本实用新型一种大电流硅基mos管的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种大电流硅基mos管的封装结构，其特征在于：包括设置于晶体管本体1背面的封装组件2； 所述封装组件2包括于晶体管本体1背面的陶瓷基板21，所述陶瓷基板21的外侧设置有封装套壳22，以用于将所述晶体管本体1与外界隔离，所述封装套壳22的内部设置有引脚框架23、且所述引脚框架23与所述晶体管本体1相连，所述封装套壳22的内部设置有散热件24，以用于提高硅基mos管的散热效率； 所述散热件24包括设置于封装套壳22内部的均热片241、且均热片241位于陶瓷基板21的后侧，所述均热片241与所述陶瓷基板21相对的一侧之间填充设置有导热硅脂242，所述均热片241的背面固定设置有散热板243，以用于与外界进行热交换散热。
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