台湾积体电路制造股份有限公司赵皇麟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124497U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520288350.6，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体结构是由赵皇麟;黄耀升;余佳霓;张翔笔;李绅扬;朱龙琨;林斌彦设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包括纳米结构通道形成于多个源极漏极区之间。半导体结构包括栅极结构形成于纳米结构通道周围。半导体结构包括间隔物位于层间介电层与栅极结构之间。半导体结构包括界面层接触纳米结构通道与间隔物，界面层包括氧化硅，且界面层的厚度为近似0.5nm至近似1.0nm。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一纳米结构通道，形成于多个源极漏极区之间； 一栅极结构，形成于多个所述纳米结构通道周围； 一间隔物，位于一层间介电层与该栅极结构之间；以及 一界面层，接触该纳米结构通道与该间隔物，该界面层包括氧化硅，且该界面层的厚度为0.5nm至1.0nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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