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龙图腾网获悉中国科学院国家空间科学中心申请的专利一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121619897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610128928.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用是由陈睿;梁亚楠;韩建伟;王籽彧设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包含梯型结构的晶体管，漏极电极为具备台阶的梯型结构；栅极覆盖在所述高空穴浓度结构层表面，与所述高空穴浓度结构层形成肖特基接触；所述漏极电极依次贯穿钝化保护层、所述势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的空间，且延伸到沟道层中，且延伸到沟道层中的部分呈现台阶的梯型结构，低阶部分朝向所述高空穴浓度结构层的一侧，且所述漏极电极与所述势垒层、所述沟道层呈欧姆接触。

本发明授权一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种包含梯型结构的晶体管，其特征在于，所述包含梯型结构的晶体管，其中，漏极电极612为具备台阶的梯型结构； 源极电极611和漏极电极612分别位于势垒层400上表面未被高空穴浓度结构层501和502覆盖的两侧，所述高空穴浓度结构层为覆盖在所述势垒层400上的第一高空穴浓度结构层501、以及位于所述第一高空穴浓度结构层501上面的第二高空穴浓度结构层502，所述第一高空穴浓度结构层501的掺杂浓度小于所述第二高空穴浓度结构层502的掺杂浓度；栅极613覆盖在所述高空穴浓度结构层表面，与所述第二高空穴浓度结构层形成肖特基接触；所述第一高空穴浓度结构层501或所述第二高空穴浓度结构层502的厚度分别为5-200nm，且所述第一高空穴浓度结构层501或所述第二高空穴浓度结构层502掺杂浓度分别为105-1022cm-3； 其中，所述漏极电极612依次贯穿钝化保护层600、所述势垒层400上表面未被高空穴浓度结构层501和502覆盖的空间，且延伸到沟道层300中，且延伸到沟道层300中的部分呈现台阶的梯型结构，低阶部分朝向所述高空穴浓度结构层501和502的一侧，且所述漏极电极612与所述势垒层400、所述沟道层300呈欧姆接触。

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