盱眙新远光学科技有限公司胡琴获国家专利权
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龙图腾网获悉盱眙新远光学科技有限公司申请的专利一种高透光光学镀膜材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121610758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610149288.1,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权一种高透光光学镀膜材料及其制备方法是由胡琴;戚善明;韩仕富;陈道理;张嘟晗设计研发完成,并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高透光光学镀膜材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及光学镀膜材料技术领域,具体为一种高透光光学镀膜材料及其制备方法。本发明克服了现有光学镀膜材料透光性低和附着力差的技术问题。本发明对光学基材进行离子清洗及HMDS原位等离子体接枝;利用高功率脉冲磁控溅射沉积ZrO2掺杂Nb2O5应力缓冲层;通过双靶变功率共溅射构建梯度折射率功能层;在高气压下沉积多孔SiO2掺杂MgF2表面层;最后经高浓度臭氧退火处理得到光学镀膜材料。最终本发明通过化学键合与高能轰击显著增强材料的附着力,利用梯度结构消除界面反射及表面微纳结构匹配折射率。
本发明授权一种高透光光学镀膜材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高透光光学镀膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 将光学基材进行表面活化和离子清洗处理,得到预处理基材;在所述预处理基材上通过氧化锆掺杂氧化铌陶瓷靶沉积应力缓冲层;在所述应力缓冲层表面通过双靶共溅射沉积功能层;在所述功能层表面通过氟化镁掺杂二氧化硅靶沉积表面层,经过后处理得到所述光学镀膜材料; 所述功能层的制备方法为:同时开启所述氧化锆掺杂氧化铌陶瓷靶和所述氟化镁掺杂二氧化硅靶,通过程序控制两个阴极靶的功率,初始阶段:所述氧化锆掺杂氧化铌陶瓷靶功率从5kW逐渐降低至3-4kW,所述氟化镁掺杂二氧化硅靶功率从0kW逐渐上升至0.6-0.8kW,时间为450-550s;中间阶段:所述氧化锆掺杂氧化铌陶瓷靶功率逐渐降低至1-2kW,所述氟化镁掺杂二氧化硅靶功率逐渐上升至1.5-2.5kW,时间为450-550s;最后阶段:所述氧化锆掺杂氧化铌陶瓷靶功率逐渐降低至0kW,所述氟化镁掺杂二氧化硅靶功率逐渐上升至2.5-3.5kW,时间为500s;基底偏压从-150V下降至-50V;通入的气体为Ar和O2的混合气体,Ar的流量恒定为40sccm,O2的流量由25sccm逐渐下降至5sccm。
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